Описание
Опт / Розница
Макс.напр.к-э,В
4500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
3
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
900
Структура модуля
одиночный транзистор
Тип силового модуля
Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
15
Входная емкость затвора,нФ
162
Драйвер управления
внешний
Защита по току
нет
Защита от короткого замыкания
нет
Защита от перегрева
нет
Защита от пониженного напряжения питания
нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
10000
Максимальный ток эмиттера, А
1800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
6
Напряжение эмиттер-коллектор,В
3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
2400
Напряжение изоляции, В
6000
Температурный диапазон,С
-40…150
Производитель
Mitsubishi Electric Semiconductor
Оплата
Уточните условия по оплате у поставщика, но обычно возможны:
- Оплата по счету
- Наличные
- Карты: Visa, Mastercard, Мир
- Наложенный платеж
Доставка
Доставка в г. Ростов-на-Дону, самовывоз г. Ростов-на-Дону, ул. Вавилова, 30
Гарантия
Команда Проминдекс размещает объявления поставщиков и продавцов после тщательной проверки, однако это не гарантирует безопасной сделки между вами и продавцом. Перед принятием решения о покупке проверьте юридические данные компании и отзывы о ней на странице отзывов и в интернете.