IGBT модули

Описание

Опт / Розница
Макс.напр.к-э,В

4500



Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

3



Номинальный ток одиночного тр-ра,А

900



Структура модуля

одиночный транзистор



Тип силового модуля

Сборка на IGBT транзисторах



Максимальная частота модуляции,кГц

15



Входная емкость затвора,нФ

162



Драйвер управления

внешний



Защита по току

нет



Защита от короткого замыкания

нет



Защита от перегрева

нет



Защита от пониженного напряжения питания

нет



Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

10000



Максимальный ток эмиттера, А

1800



Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

6



Напряжение эмиттер-коллектор,В

3



Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

2400



Напряжение изоляции, В

6000



Температурный диапазон,С

-40…150



Производитель

Mitsubishi Electric Semiconductor

Оплата

Уточните условия по оплате у поставщика, но обычно возможны:

• Оплата по счету
• Наличные
• Карты: Visa, Mastercard, Мир
• Наложенный платеж

Гарантия

Команда Проминдекс размещает объявления поставщиков и продавцов после тщательной проверки, однако это не гарантирует безопасной сделки между вами и продавцом. Перед принятием решения о покупке проверьте юридические данные компании и отзывы о ней на странице отзывов и в интернете.

Отзывы

Добавить отзыв