Год выпуска 0591 Характеристики транзистора КТ837Е Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 ВМаксимально...
Год выпуска 9205Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключательный: 2Т635А, КТ635Б. Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усилительных схем. Выпускаются в металлостеклянном...
Модификация: Алина;Область применения: Промышленность СТАНДАРТ: ТР ТС 019/2011 Класс защиты: FFP 2 NR D С клапаном выдоха: да Гарантийный срок хранения: 2 года Упаковка: Индивидуальная Количество в коробке:...
Эксплуатация: новая; Страна-производитель: Россия; Тип нагрева: электрическаяИндукционная плавильная высокочастотная установка УПВ–25/100 предназначена для плавки металлов и неметаллических материалов...
Эксплуатация: новая; Страна-производитель: Россия; Тип нагрева: электрическаяИндукционная плавильная высокочастотная установка УПВ–25/100М предназначена для плавки металлов и неметаллических материалов...